Mbinu za Kusafisha Chembe za Hewa

Uchujaji wa mitambo

Kwa ujumla, chembe hunaswa kwa njia 3 zifuatazo: kuingilia moja kwa moja, mgongano usio na hewa, utaratibu wa uenezaji wa Brownian, ambao ni mzuri katika kukusanya chembe ndogo lakini ina upinzani mkubwa wa upepo, ili kupata.ufanisi mkubwa wa utakaso, cartridge inahitaji kuwa mnene na kubadilishwa mara kwa mara.

Adsorption

Adsorption ni matumizi ya eneo kubwa la uso na muundo wa vinyweleo wa nyenzo kukamata uchafuzi chembechembe, rahisi kuzuia, kutumika kwa ajili ya uchafuzi wa gesi kuondolewa athari ni muhimu zaidi.

Kunyesha kwa umeme

Utoaji wa umemetuamo ni aukusanyaji wa vumbinjia inayotumia uga wa umeme wa volteji ya juu ili kuaini gesi ili chembe za vumbi zitangazwe kwa umeme kwenye elektrodi.

Ion hasi na njia ya plasma

Njia hasi ya ioni na plasma na uondoaji wa uchafuzi wa chembe za ndani hufanya kazi sawa, zote mbili kwa kufanya chembechembe za hewa zichajiwe, ziunganishe kuunda chembe kubwa na kutulia, lakini chembe hizo hazijaondolewa, lakini zimeunganishwa tu kwenye uso wa karibu, rahisi kuongoza. kwa vumbi tena.

Uchujaji wa umemetuamo

3M "ufanisi wa juu wa kielektronikichujio cha hewa” kama mfano, kwa kutumia upekee wa kubeba nyenzo za kudumu za kichujio cha kielektroniki, kuzuia kwa ufanisi chembe za hewa zaidi ya mikroni 0.1 za uchafuzi, kama vile vumbi, nywele, chavua, bakteria, n.k., huku kukiwa na kizuizi cha chini kabisa ili kuhakikisha utendakazi thabiti wa kiyoyozi. na athari ya baridi.Kwa kuongeza, muundo wa uvumilivu wa vumbi la kina huhakikisha maisha marefu ya huduma.Midia ya kawaida ya kichujio inaweza kuondoa chembe chembe zaidi ya mikroni 10 kwa ufanisi sana.Wakati saizi ya chembe iko katika safu ya mikroni 5, mikroni 2 au hata ndogo ndogo, mifumo bora ya uchujaji wa mitambo inakuwa ghali zaidi na upinzani wa upepo huongezeka sana.Uchujaji wa nyenzo za umemetuamo unaweza kufikia ufanisi mkubwa wa kukamata na matumizi ya chini ya nishati, wakati unachanganya faida za uondoaji wa umemetuamo na upinzani mdogo wa hewa, lakini bila hitaji la voltage ya nje ya makumi ya maelfu ya volts, kwa hivyo haitoi ozoni, na kwa sababu muundo wa nyenzo za polypropen, ni rahisi kuondoa.

Teknolojia ya utakaso wa kichocheo cha Plasma

Katika teknolojia hii, O³ inayozalishwa na kiwango cha juu cha utakaso hutengana na kuwa ioni za oksijeni, na ioni za oksijeni huzalisha haraka athari za oxidation na molekuli mbalimbali za harufu chini ya hatua ya vichocheo, kuharibu molekuli za harufu kuwa molekuli ndogo kama vile CO2 na H2O. ambazo hazina harufu na hazina sumu.

Teknolojia ya utakaso wa ion ya nishati ya juu

Kupitia teknolojia hii, vifungo vya Masi ya molekuli ya harufu huvunjwa chini ya hatua ya ions ya juu ya nishati, na huwa molekuli ndogo bila sumu na harufu.O³ zinazozalishwa katika teknolojia hii ya utakaso ni kipengele muhimu cha teknolojia ya utakaso iliyofuata.

Teknolojia ya utakaso wa mvua ya kielektroniki

Wakati vumbi la kushtakiwa linapita kwenye uwanja wa umeme wa umeme wa juu, kwa mujibu wa kanuni ya "mvuto mzuri na hasi", vumbi litatangazwa kwenye polarity kinyume ya karatasi ya alumini, ambayo ina jukumu la ufanisi katika kunyonya vumbi.Wakati huo huo, vijidudu hatari kama vile bakteria, virusi, ukungu, n.k. vitakufa kwa sababu ya upanuzi wa membrane ya seli chini ya ioni ya voltage ya juu na voltage ya juu tuli.Ufanisi wa kuondoa vumbi na udhibiti wa ozoni huboreshwa sana kwa utumiaji wa teknolojia iliyoboreshwa ya udhibiti wa nguvu ya voltage ya juu, teknolojia ya sasa ya voltage ya sasa ya kudhibiti kitanzi kilichofungwa.